通孔深度测量装置
VIANCA系列
用于3D・2.5D封装和混合键合工艺中高纵横比小直径通孔深度的高精度测量
特点
采用独特光学系统实现高纵横比小直径通孔深度测量
支持下一代TSV形状
应用
通孔蚀刻后的深度测量
混合键合中Cu凹陷量管理
Cu突出后和凸点形成工艺中的高度测量
随着AI技术的发展,对更高性能GPU的需求不断增长,GPU搭载的HBM(高带宽内存)也需要更高的性能和更小的尺寸,HBM制造中使用的TSV(硅通孔)技术的进一步小径化和高纵横比化已成为重大挑战。
VIANCA系列通过我们独特的光学系统,实现了传统光学系统无法实现的高纵横比小直径通孔深度测量,能够高精度测量HBM制造工艺中的重要质量控制项目,如Cu布线后的Cu高度测量等。
我们将继续满足客户需求,为先进半导体工艺的质量改善和良品率提升做出贡献。