GALOIS211
特点
采用适于透明基板的共焦光学，实现不受背面反射影响的稳定检测
微分干涉光学实现对浅划伤及各类晶体缺陷的高灵敏检测
光源/光学滤波器的波长选择功能，使 GaN on SiC 等异质外延结构在不受薄膜干涉影响的最优条件下进行检测
先进图像处理技术，检测不受 GaN 表面形貌影响
6英寸晶圆6分钟的高速检测，可扩展至量产阶段
配备缺陷映射/分类/标记功能，支持缺陷分析
应用
体GaN晶圆的缺陷检测
GaN外延层（同质/异质外延）的缺陷检测
器件制程热处理前后的缺陷变化分析
外延生长工艺与设备管理
研磨材料开发与研磨工艺管理
规格
| 装置尺寸 | 3,052mm（D）×3,250mm（W）×1.990mm（H） 含维护空间 |
| 支持晶圆尺寸 | 最大 φ8 英寸 |
| 适用晶圆类型 | 体GaN、同质/异质外延GaN晶圆 |
| 检测时间 | 6 分/片（φ6 英寸，10× 镜头） |
GALOIS211 能够更快速地检测 GaN 晶圆上的各类缺陷，并以高分辨率对缺陷进行评审。
采用明场共焦光学，GALOIS 系列作为检测/评审系统，可对 GaN 晶圆缺陷实现高速检测与高分辨率评审成像。
随着全球节能趋势的推进，对最大化能源效率的技术需求不断上升。SiC、GaN 等宽禁带半导体有望在功率电子、高速通信以及 LED 等领域发挥关键作用，围绕品质提升与成本降低的研发日益活跃。SiC 在走向量产方面已相对领先（我们的缺陷检测/评审装置 SICA88 以其高通量、高精度缺陷分类以及高分辨率评审图像，被广泛认可为行业标准机）。另一方面，GaN 器件的普及仍受到晶圆制造成本及大量晶体/工艺缺陷的制约，对晶圆品质持续改进的需求日益迫切。为解决上述课题，Lasertec 开发了 GALOIS 系列，可对加工缺陷与晶体缺陷进行高灵敏且高速的检测/分类，并提供高分辨率缺陷评审。
GALOIS 将我们的核心共焦光学与微分干涉（DIC）光学相结合，并配合先进的图像处理技术，在抑制透明基板背面反射和表面形貌影响的同时，实现对 GaN 晶圆表面各类缺陷的高灵敏检测。缺陷分类依托高性能计算与包含深度学习在内的机器学习模型，可在检测同步的情况下，基于高分辨率评审图像对不规则形状缺陷进行高精度分类。系统会保存整片晶圆的评审图像，用于未知缺陷的后续分析；同时实现了 6 英寸晶圆 6 分钟的高通量检测，使其可适用于未来的量产工艺。GALOIS 不仅适用于 GaN 晶圆的出货/来料检验，也可作为晶圆/外延/器件工艺的过程监控手段，帮助追溯缺陷根因并提升良率。
