TSV背面研磨工艺测量系统

BGM系列

TSV背面研磨工艺中Si厚度、TSV深度、Remaining Si厚度测量装置

特点

采用Lasertec专有干涉仪和红外光学系统的组合，实现Via部分的测量

适用于背面研磨工艺的研磨前后两个阶段

缺陷检测系统的高速化，实现扫描时间38分钟/100mm x 100mm区域

为TSV背面研磨工艺提供最佳解决方案

TSV背面研磨工艺前的Si厚度/TSV深度测量

TSV背面研磨工艺后的Remaining Si厚度（RST）测量

键合晶圆粘合层厚度异常检测

BSI图像传感器晶圆背面减薄时的硅厚度测量

为了追求半导体器件更高的密度、高速运行和低功耗，通过芯片堆叠在垂直方向构建电路的三维堆叠器件正在实用化。各芯片通过通孔电极（TSV: Through Silicon Via）在垂直方向连接。

BGM300在研磨工艺前快速测量Si厚度和TSV深度等，以防止Cu污染并实现最佳研磨。同时还可以测量研磨后Via部分的剩余Si厚度。