EUV掩模空白检测/评审装置
ABICS系列 E320
面向High NA EUV光刻技术时代的EUV掩模空白检测装置
特点
Actinic inspection(采用λ=13.5nm的EUV光源)
高灵敏度检测反射多层膜(Mo/Si)内部的可打印相位缺陷
40x暗场光学系统实现高灵敏度、高速检测
1500x高倍率评审实现缺陷坐标的高精度测量
明场/暗场评审进行缺陷分析(缺陷分类和疑似缺陷判定等)
应用
次世代EUV掩模空白(Mo/Si多层膜)的相位缺陷检测
EUV掩模空白的相位缺陷评审
用于缺陷Mitigation的高精度相位缺陷坐标输出
ABICS系列"E120"凭借对相位缺陷的高检测灵敏度和缺陷坐标精度,在出货检测和缺陷Mitigation技术中得到了广泛应用,获得了客户的高度评价和信赖。
另一方面,面向半导体器件进一步微细化的High NA EUV光刻技术实用化的技术研究正在推进,EUV掩模空白需要管理更微小的相位缺陷。
此次产品化的ABICS系列"E320",通过采用新设计的高倍率施瓦茨希尔德光学系统和照明光学系统的优化,实现了High NA EUV光刻技术时代所需的缺陷检测灵敏度和缺陷坐标精度。