半導体ウェハ検査装置
MAGICS M5640
ウェハ欠陥検査装置
特長
コンフォーカル光学系により、幅・高さ・深さの高精度測定が可能
Siウェハから、SiCウェハを含む化合物半導体やガラスパネルなど、透明体表層の形状測定にも対応
可視光からNIRまで搭載しているため、ウェハ表面の形状測定や、Si層を透過することによる下層パターンの形状測定が可能
用途
Siウェハや、SiCウェハを含む化合物半導体の3D測定および高解像レビュー画像取得
パネルレベルパッケージにおけるガラス基板上RDLの幅・高さ測定
Siウェハ内部に存在するパターンや欠陥の形状測定
仕様
| 検査光源波長 | 532nm |
| 最高検出感度 | 50nm(ミラーポリッシュウェハ上のPSL) |
| 検査時間 | 22分/枚(300mmウェハ ノーマルスキャン) |
| レビュー時間 | 2秒/点 |
MAGICSは、レーザーテックのコア技術であるコンフォーカル光学系を搭載し、散乱光検査装置には無い以下の特長によりウェハの評価解析およびプロセス改善用途に広く用いられ、業界標準機としての地位を確立しました。
・PID, Shallow scratch, COP,SF等、プロセス起因のキラー欠陥に対する高い検出能力
・高速・高解像度レビューによる欠陥種類の判別
・ヘイズや裏面反射の影響により散乱光での高感度検査が困難なエピタキシャルウェハ、石英ウェハ等も高感度で検査可能
設計ルールの微細化に伴い、各種ウェハの品質に対する要求はますます高まり、検査機への要求も高度化しています。また、散乱光検査装置では検出し難い種類の欠陥を低減する必要性も高まってきています。
M5640は従来のMAGICSの特長を維持し、かつ検出感度の向上と検査時間の半減を実現しました。さらに、裏面非接触チャックが選択可能で、評価解析用途のみならず、出荷・受入検査にもご使用頂ける製品です。