TSV裏面研磨プロセス測定装置

BGMシリーズ

TSV裏面研磨プロセスでのSi厚さ、TSV深さ、Remaining Si厚さ測定装置

特長

独自の干渉計とIR光学系の組み合わせを採用し、Via部の測定を実現

裏面研磨プロセスの研削前後両方において使用可能

欠陥検出システムの高速化により、スキャン時間38分 / 100mm x 100mmエリアを実現

TSV裏面研磨プロセスに最適なSolutionを提供

TSV裏面研磨プロセス前のSi厚さ/TSV深さの測定

TSV裏面研磨プロセス後のRemaining Si厚さ（RST）の測定

貼り合せウェハの接着層厚さ異常の把握

BSIイメージセンサウェハの裏面薄化時のシリコン厚さ測定

半導体デバイスのさらなる高密度、高速動作、低消費電力化を目指し、チップを積み重ねて縦方向に回路を構築する3次元積層デバイスが実用化されつつあります。各チップは、貫通電極（TSV: Through Silicon Via）によって垂直方向に接続されます。

BGM300は、Cu汚染を防ぎかつ最適な研磨が行えるよう、Si厚さやTSV深さ等を研磨プロセス前に迅速に測定します。また併せて研磨後におけるVia部のRemaining Si厚さの測定も可能です。