ビア深さ測定装置

VIANCAシリーズ

3D・2.5Dパッケージや ハイブリッドボンディング工程における高アスペクトレシオ小径ビアの深さを高精度に測定
VIANCAシリーズ

特長

独自の光学系による、高アスペクトレシオ小径ビアの深さ測定

次世代TSV形状に対応可能

用途

ビアエッチング後の深さ測定

ハイブリッドボンディング におけるCuリセス量管理

Cu頭出し後やバンプ形成工程における高さ測定

VIANCA装置写真

AI技術の発展に伴い、より高性能なGPUが必要とされる中、GPUに搭載されるHBM(広帯域メモリ)にも高性能化と小型化が求められており、HBM製造時に用いられるTSV(シリコン貫通電極)技術のさらなる小径化と高アスペクト化が大きな課題になっています。

VIANCAシリーズでは弊社独自の光学系により、従来の光学系では測定不可能であった高アスペクトレシオ小径ビアの深さ測定を実現し、Cu配線後のCu高さ測定等、HBM製造工程における重要な品質管理項目を高精度に測定することを可能にしました。

当社は今後もお客さまのニーズに応え、先端半導体プロセスの品質改善と歩留まり向上に貢献してまいります。